KRi 考夫曼離子源 KDC 10
 
KRi 考夫曼離子源 KDC 10 技術參數(shù)

型號

KDC 10

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

1

 - 陽極電壓

0-100V DC

 - 柵極直徑

1cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架構

移動或快速法蘭

 - 高度

4.5'

 - 直徑

1.52'

 - 離子束

聚焦
平行
?散射

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

2-12”

 - 自動控制

控制4種氣體


KRi 考夫曼離子源 KDC 10 應用領域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 硅片刻蝕應用
上海伯東協(xié)助某客戶自主搭建離子束刻蝕機, 進行 1寸或2寸晶圓 (硅片) 刻蝕, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 10 進行晶圓的超精密加工, 后期用于研究高質量精密 x射線反射鏡.

離子束刻蝕機真空腔體主要部件如下圖所示, 主要是離子源, 運動臺和晶圓支架. 因刻蝕晶圓直徑比較小,推薦使用低成本高效能的美國 KRi 小型號考夫曼離子源 KDC 10, 離子源底座安裝設計為可移動, 進行刻蝕工藝時, 工藝氣體氬氣, 通過離子源發(fā)出一個圓形的自對準聚焦離子束, 離子束移動, 而晶圓保持固定. 這種設計節(jié)省了腔室和整個系統(tǒng)的空間.
KRi 考夫曼離子源 KDC 10

 

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質量的真空系統(tǒng).

若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式：
上海伯東: 葉小姐                                                 臺灣伯東: 王小姐
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