上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI  線性離子源使用 eH 400 做為模組, 能應(yīng)用于寬范圍的襯底, 離子源長(zhǎng)度高達(dá) 1 米, 通過(guò)嚴(yán)格調(diào)整模組間的距離可以實(shí)現(xiàn)更佳的均勻性和離子流. 由于模組是平行放置, 大大簡(jiǎn)化了氣體, 功率和電子三者的分布. KRI 線性離子源使用標(biāo)準(zhǔn)的端部霍爾模組并使設(shè)備的需求簡(jiǎn)化, 一個(gè)低成本, 高電流和低能量的離子束可以很好的使用于 web 涂層, in-line 沉積和圓柱旋轉(zhuǎn)濺射系統(tǒng).

霍爾離子源 eH 400 尺寸
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH Linear 技術(shù)參數(shù)

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

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