2. 以 20kV 加速電壓和電流 1nA 進行俄歇分析, AES 空間分辨率可達 ≦8nm.
3. 在擁有所有 CMA 優點的同時, 并結合獲得 AVS (美國真空協會) 設計獎的高能量分辨率功能, AES 可以進行各種納米級區域的化學態分析.
4. Windows 兼容的簡易操作和功能強大的數據處理軟件

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俄歇電子能譜儀 PHI 710

簡介

1.使用 CMA 同軸分析器, 同時實現高靈敏度和高傳輸率. 即使在低電流高空間分辨率情況下, 都可輕松的進行分析.
2. 以 20kV 加速電壓和電流 1nA 進行俄歇分析, AES 空間分辨率可達 ≦8nm.
3. 在擁有所有 CMA 優點的同時, 并結合獲得 AVS (美國真空協會) 設計獎的高能量分辨率功能, AES 可以進行各種納米級區域的化學態分析.
4. Windows 兼容的簡易操作和功能強大的數據處理軟件

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技術規格

上海伯東代理 ULVAC-PHI 俄歇電子能譜儀 PHI 710 適用于半導體器件, 微電子器件和材料科學等研究. SEM 像空間分辨率 ≤3 nm,  AES 成分像空間分辨率 ≦8nm.

俄歇電子能譜儀 PHI 710 基本參數

SEM 像空間分辨率( 25kV )

≤3 nm

AES 空間分辨率( 20kV 1nA)

≦ 8nm

靈敏度

900 kcps ( CuLMM ) @ 10 kV, 10 nA

SEM 放大倍率

x45 (加速電壓:3kV) 至 x 1,000,000

樣品臺可變動范圍

X,Y 軸各±25 mm

離子槍加速電壓

0 至 5 kV 可變

離子槍光柵面積

最大 4 mm x 4mm

極限真空

6.7 x10-8 Pa 以下

重量

主機重量 1,100 kg, 電子控制柜重量 250 kg, 隔音罩重量 820 kg

電力

200-230V 交流, 單相 50A, 50/60Hz

選配: 6個樣本泊放裝置, 樣品冷卻斷裂裝置, EBSD, 背散射電子探測器, 能量色散譜儀 (EDS) 等

俄歇電子能譜儀 PHI 710 特性
1.使用 CMA 同軸分析器, 同時實現高靈敏度和高傳輸率. 即使在低電流高空間分辨率情況下, 都可輕松的進行分析.
2. 以 20kV 加速電壓和電流 1nA 進行俄歇分析, AES 空間分辨率可達 ≦8nm.
3. 在擁有所有 CMA 優點的同時, 并結合獲得 AVS (美國真空協會) 設計獎的高能量分辨率功能, AES 可以進行各種納米級區域的化學態分析.
4. Windows 兼容的簡易操作和功能強大的數據處理軟件
 

俄歇分析通過 SEM 觀察確定分析位置, 再進行采譜, 成分分布成像和深度剖析. 在 SEM 觀察時需要細小的聚焦電子束斑, 同時進行俄歇分析, 需要非常穩定的電子束.

SEM 成像分辨率可達 3納米左右, PHI 710 使用低噪聲電源 (圖1), 采用隔音罩以減小振動, 聲音, 和溫度的影響, AES 分析時分辨率可達到 8nm以下(20 kV1nA).
圖2案例: 球墨鑄鐵斷面中晶間雜質的分析.

從左圖所示:二次電子像, 在圖2中從左到右的影像所示分別為 Ca(藍色) Mg(綠色) Ti(紅色)俄歇成分像, 疊圖以及S的俄歇成分分布像, 表明了 AES 納米級微區的化學分析能力.

俄歇電子能譜儀 PHI 710


俄歇電子能譜儀 PHI 710 應用案例

比較分析形態復雜的樣本
圖4比較 CMA 和傳統 SCA 所采集的球狀樣品的 SEM成像, 以及俄歇成分影像, SCA 中俄歇成分圖的陰影效果非常明顯, 而 CMA 在360°收集訊號的能力下所獲得的 SEM 像和俄歇成分像可準確地反映真實結果.

俄歇電子能譜儀 PHI 710 特性 1.使用 CMA 同軸分析器,

 


PHI710 AES 成分像, 每個像素點對應的圖譜可對元素存在的化學態進行解析和進階的化學態成像.

高能量分辨率
圖5顯示半導體芯片電極 Si KLL的高能量分辨成分分布圖. 由Si KLL譜進行最小二乘法擬合(LLS)得出三個主要成分分別為單質硅, 氮氧化硅, 硅化物, 從而可把這三種不同化學態的硅單獨輸出成像分布圖.

俄歇電子能譜儀 PHI 710


什么是俄歇電子能譜儀 AES
AES (Auger Electron Spectroscopy) 是利用電子束電離激發原子內層電子, 探測退激發過程出射的俄歇電子, 獲得樣品表面的組成及化學性質的分析方法. AES 不僅表面靈敏, 而且具有納米級的空間分辨率, 因此廣泛應用于半導體器件, 微電子器件和材料科學等研究.

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