KRi 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)

KDC 100

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽(yáng)極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用, 自對(duì)準(zhǔn)

 -柵極直徑

12 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動(dòng)或快速法蘭

 - 高度

9.25'

 - 直徑

7.6'

 - 離子束

聚焦
平行
散設(shè)

 -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

8-36”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理.

上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐                                                臺(tái)灣伯東: 王小姐
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應(yīng)用案例

上海伯東針對(duì)不同客戶, 提供定制化解決方案并能與客戶攜手合作研發(fā)新的項(xiàng)目應(yīng)用

美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應(yīng)用
美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 220 MEMS 探針光柵刻蝕應(yīng)用

高能量 22cm 柵極離子源, MEMS 探針光柵刻蝕, 材料為 Sio2 和金屬, 刻蝕均勻性 ±5%
KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射
KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射

KRi 直流磁控濺射電源應(yīng)用于金屬靶材濺射
KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于離子束拋光工藝
KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于離子束拋光工藝

KRi 考夫曼離子源應(yīng)用于光學(xué)鍍膜離子束拋光機(jī)及晶體硅片離子束拋光機(jī).
KRi 考夫曼離子源常見(jiàn)真空應(yīng)用
KRi 考夫曼離子源常見(jiàn)真空應(yīng)用

離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝介紹
KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用
KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)輔助鍍膜應(yīng)用

通過(guò)加熱燈絲產(chǎn)生電子, KDC 系列離子源增強(qiáng)設(shè)計(jì)輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實(shí)現(xiàn)輔助鍍膜 IBAD
KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用于 IBE 離子束刻蝕機(jī)
KRi 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用于 IBE 離子束刻蝕機(jī)

應(yīng)用于刻蝕 2寸,4寸金屬和多層氧化物, 滿足客戶研發(fā)液晶功能材料及器件, 如光柵器件(透射式, 螺旋式和閃耀式光柵) 等要求.
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

離子源預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對(duì)基材表面有機(jī)物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等

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