上海伯東日本原裝進口 NS 離子束刻蝕機 20 IBE-C, 適用于中等規模的實驗室研究, 滿足 3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蝕. 采用自研公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%. 離子束刻蝕機 20 IBE-C 可選配美國 KRi 離子源或終點檢測(監測當前氣體成分, 監控刻蝕制程).
離子束刻蝕機 20 IBE-C 基本參數
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型號 |
20 IBE-C |
φ4 inch X 6片 |
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應用 |
中等規模的實驗室研發 |
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內置 |
考夫曼型離子源(或根據需求選擇射頻離子源) |
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基板尺寸 |
φ3 inch X 8片 |
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均勻性 |
≤±5% |
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刻蝕速率 |
硅片 20 nm/min |
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工藝氣體 |
Ar, O2, N2 |
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樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機臺設計使用半自動化(手動放置樣品)操作流程
離子束刻蝕機推薦刻蝕應用
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類別 |
器件 |
刻蝕材料 |
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磁性器件 |
自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD |
Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
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傳感器 MEMS |
鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機頭等 |
PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
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RF 射頻器件 |
射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 |
Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
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光電子 |
激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等 |
Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
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其他 |
探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導等 |
NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等
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自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套IBE離子束刻蝕機. 刻蝕機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術! 上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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