上海伯東日本 NS 離子束刻蝕機(jī)中國(guó)總代理. NS 離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-C, 適用于中等規(guī)模的實(shí)驗(yàn)室研究, 滿足 3寸, 4寸, 6寸, 8寸多片的材料刻蝕. 采用自研公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%. 離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-C 可選配美國(guó) KRi 離子源或終點(diǎn)檢測(cè)(監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 監(jiān)控刻蝕制程).
離子束刻蝕機(jī) 20 IBE-C 基本參數(shù)
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型號(hào) |
20 IBE-C |
φ4 inch X 6片 |
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應(yīng)用 |
中等規(guī)模的實(shí)驗(yàn)室研發(fā) |
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內(nèi)置 |
考夫曼型離子源(或根據(jù)需求選擇射頻離子源) |
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基板尺寸 |
φ3 inch X 8片 |
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均勻性 |
≤±5% |
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刻蝕速率 |
硅片 20 nm/min |
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工藝氣體 |
Ar, O2, N2 |
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樣品臺(tái) |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
離子束刻蝕機(jī) IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級(jí)別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
4. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu) ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 可選配德國(guó) Pfeiffer 分子泵和旋片泵
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用半自動(dòng)化(手動(dòng)放置樣品)操作流程
離子束刻蝕機(jī)推薦刻蝕應(yīng)用: 20IBE?C 離子束刻蝕機(jī) MEMS Ti/Cu 刻蝕案例(4 寸硅襯底 Ti Cu 雙層金屬 10 分鐘一次性刻蝕 6片) >>
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類(lèi)別 |
器件 |
刻蝕材料 |
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磁性器件 |
自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD |
Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
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傳感器 MEMS |
鉑熱電阻, 流量計(jì), 紅外傳感器, 壓電打印機(jī)頭等 |
PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
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RF 射頻器件 |
射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 |
Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
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光電子 |
激光二極管, 光電探測(cè)器, 薄膜分裝等 |
Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
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其他 |
探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導(dǎo)等 |
NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等
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自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套IBE離子束刻蝕機(jī). 刻蝕機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過(guò) 50年的離子束刻蝕市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn), 擁有龐大的安裝基礎(chǔ)和經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的刻蝕技術(shù)! 上海伯東也是美國(guó) KRi 離子源中國(guó)總代理, KRi 離子源適用于各類(lèi)真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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