上海伯東代理美國 KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計提供高電流離子束 > 750 mA, KRi 霍爾離子源 eH 400 小巧的尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 適用于離子輔助鍍膜 IBAD, 預(yù)清洗 PC s和低能量離子蝕刻 IBE.
KRi 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
eH 400 |
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陽極 |
DC |
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陽極電流(最大) |
5A |
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離子束流(最大) |
>750mA |
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陽極電壓范圍 |
50-300V |
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離子能量范圍 |
25-300eV |
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陽極功率(最大) |
500W (輻射冷卻) |
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氣體 |
惰性氣體和反應(yīng)氣體 |
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氣體流量 |
3-30 sccm |
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壓力 |
< 1 x 10-3 Torr |
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離子束流直徑 |
4cm Φ |
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離子束發(fā)散角度 |
> 45° (hwhm) |
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陰極中和器 |
沉浸式或非沉浸式 |
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尺寸: |
高度: 3.0” (7.62cm); 直徑: 3.7” (9.4cm) |
KRi 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
電子束蒸發(fā), 磁控濺射中的 IBAD
Load Lock 預(yù)清潔
沉積前的預(yù)清潔
低能離子束蝕刻
類金剛石碳涂層
離子束濺射
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
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