|
型號(hào) |
|||||
|
Discharge 陽(yáng)極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
1kW & 1.8 MHz |
2kW & 2 MHz |
2kW & 1.8 MHz |
|
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
22 cm Φ |
38 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長(zhǎng)度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 or RFN |
||||
上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源應(yīng)用場(chǎng)景
離子輔助鍍膜 IBAD
鍍膜前離子預(yù)清洗 PC
表面改性, 激活 SM
直接沉積薄, 硬或功能涂層 DD
離子束濺射沉積 IBSD
離子束刻蝕 IBE, 可以覆蓋 12英寸(300 mm)
離子束拋光 IBF
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過(guò)使用美國(guó) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)KRi考夫曼離子源中國(guó)總代理
上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 離子源 詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 葉小姐 臺(tái)灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號(hào) ) M: +886-939-653-958
現(xiàn)部分品牌誠(chéng)招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
推薦搭配
