如上圖所示, 在放電室 Discharge Chamber 中產生的正離子, 在高壓（束流電源提供）作用下, 被加速穿過屏柵和加速柵上的精密孔徑. 離子最終以獲得等于束流電源電壓的能量轟擊處于地電位的靶材

離子光學系統: 是離子源的核心部件, 決定了束流的形狀（可聚焦, 準直或散射）和電流密度

美國 KRi RFICP 射頻離子源優勢
射頻自動匹配
柵網直徑: 1至 30cm, 可選配三層柵網
離子束電流: 2至 1500 mA
離子能量范圍(單能): 100 至 1500 eV
束流形狀: 聚焦, 平行, 散射
精確控制: 可重復, 穩定的離子束, 射頻離子源能對離子軌跡進行精確控制, 束流定向性好
自動電荷中和

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. KRi RFICP 射頻離子源廣泛用于先進光學, 光子, 磁性和微電子器件的研究及工業制造.

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	1kW & 1.8 MHz 射頻自動匹配	2kW & 2 MHz 射頻自動匹配	2kW & 1.8 MHz 射頻自動匹配
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000 or RFN

上海伯東美國 KRi 射頻離子源應用場景
離子輔助鍍膜 IBAD
鍍膜前離子預清洗 PC
表面改性, 激活 SM
直接沉積薄, 硬或功能涂層 DD
離子束濺射沉積 IBSD
離子束刻蝕 IBE, 可以覆蓋 12英寸(300 mm)
離子束拋光 IBF

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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