在介電層刻蝕環(huán)節(jié), 針對芯片介質(zhì)通孔, 接觸孔, 精細開窗等核心結(jié)構(gòu), KRI RFICP 380 的定向平行離子束可實現(xiàn)高各向異性刻蝕, 有效解決傳統(tǒng)等離子刻蝕的微負載效應, 側(cè)壁粗糙, 關(guān)鍵尺寸偏差大等痛點, 保障8寸晶圓整片刻蝕一致性, 完美適配功率器件, 模擬芯片的高精度介質(zhì)圖形化量產(chǎn)需求
三、RFICP 380 在8寸晶圓金屬層沉積與刻蝕中的應用
RFICP 380 射頻離子源可覆蓋金屬層原位預處理, 沉積改性, 精密刻蝕全流程工藝, 全面優(yōu)化金屬薄膜制程質(zhì)量
在金屬薄膜沉積前, KRi RFICP 380 可通過低能氬離子束完成真空原位清洗, 高效去除晶圓表面自然氧化層與有機殘留, 規(guī)避濕法清洗帶來的二次污染, 水漬殘留問題, 優(yōu)化金屬與介質(zhì)的界面特性, 降低器件接觸電阻. 在沉積過程中, 離子束輔助轟擊可細化 Ti, AlCu, TiN 等金屬薄膜晶粒, 降低表面粗糙度, 提升金屬布線平整度與致密性, 強化 TiN 阻擋層的金屬擴散阻隔能力, 提升芯片可靠性.
在金屬層刻蝕場景中, KRi RFICP 380 依托純物理濺射刻蝕機制, 無化學側(cè)蝕弊端, 可實現(xiàn)超薄金屬層, 微型精密電極圖形的納米級高精度刻蝕, 有效減少光刻膠老化損傷與刻蝕殘留, 加工精度與良品率遠超傳統(tǒng)工藝, 廣泛應用于 MEMS 金屬電極, 功率器件歐姆接觸層, 射頻芯片精密互連金屬層等高精制程.
結(jié)論: 上海伯東美國 KRi 離子源中國總代理, 提供適配 8寸晶圓量產(chǎn)設備的 RFICP 380 射頻離子源, 解決了傳統(tǒng)薄膜沉積, 刻蝕設備精度不足, 污染偏高, 工藝單一的行業(yè)痛點.
隨著國內(nèi) 8寸半導體產(chǎn)線持續(xù)迭代升級, 高精度, 一體化, 高穩(wěn)定性的薄膜加工裝備成為產(chǎn)業(yè)剛需. KRi RFICP 380 射頻離子源憑借成熟的工藝優(yōu)勢, 金屬層雙制程適配能力與穩(wěn)定的量產(chǎn)表現(xiàn), 成為 8寸晶圓沉積刻蝕設備的核心部件, 持續(xù)賦能功率半導體, MEMS, 模擬芯片產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
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