Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士發明了電子轟擊離子推進器并以他的名字命名(考夫曼推進器). 1969年美國航空航天學會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進獎, 1970年考夫曼推進器贏得了IR 100 (前身研發100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂

1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發生產商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業,真空系統設備商和研究機構提供先進的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源簡介

KRI 離子源主要產品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含考夫曼離子源, 霍爾離子源, 射頻離子源和電源控制器, 共計超過 25種規格, 全球累積銷售 3500+ 臺!
美國 KRI 考夫曼離子源

射頻離子源 RFICP 系列技術規格:

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

考夫曼離子源 KDC 系列技術規格:

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
Discharge 陽極	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流	DC 電流
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	1-5 sccm	2-10 sccm	2-15 sccm	2-20 sccm	2-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	11.5 cm	17.1 cm	20.1 cm	23.5 cm	25.2 cm
直徑	4 cm	9 cm	14 cm	19.4 cm	23.2 cm
中和器	燈絲

霍爾離子源 eH 系列技術規格:

型號	eH 400	eH 1000	eH1000 xO2	eH 2000	eH 3000
Cathode/Neutralizer	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC HC HC	HC
陽極電壓	50-300V 30-150V	50-300V 30-150V 50-300V	100-300V	50-300V 30-150V 50-250V	50-250V 50-300V 50-250V
電流	5A 10A	10A 12A 5A	10A	10A 15A 15A	20A 10A 15A
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25sccm	2-50sccm	2-50sccm	2-75sccm	5-100sccm
高度	3.0“	4.0“	4.0“	4.0“	6.0“
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	5.7“	9.7“
水冷	可選	可選	可選	是	可選

KRI 離子源主要應用
作為一種新興的材料加工技術, 上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內, 對樣品進行預清洗和輔助鍍膜
KRI 霍爾離子源 IBAD 輔助鍍膜

離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內, 對樣品進行預清洗和濺射鍍膜
美國 KRI 射頻離子源 IBSD 濺射鍍膜

在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
美國 KRI離子源
測試結果
KRi RFICP 325 射頻離子源

--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------

從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊

多項成果
美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果, 在此領域中, KRI 離子源是公認的, KRI 團隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術論文,為推進寬波束設備和材料加工領域行業的知識體系做出貢獻!

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
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