等離子: 一種帶電氣體. 等離子是通過從氣體中移除一個或多個電子而產生的. 我們通過與原子的碰撞將電子從目標氣體中撞出來移除這些電子.
創造等離子: 來自 KRi 官網文章中的 KRi RF 2100 ICP 離子源圖像顯示了等離子的創造過程. 選擇 KRi RF 2100 ICP 是因為它比 RFICP 射頻離子源更能顯示出等離子的創造過程.
我們如何創造出等離子?
第一步: 為了使點火更容易, KRi 創造了額外的電子來加速進入原子.
高溫燈絲被加熱至電子溢出. 為后續電離提供"種子"
圖中所示的燈絲是如此之熱, 以至于電子都從上面溢出來了!

第二步: 氣體電離與激發. 我們將氬氣注入放電室, 并使用振蕩電磁波來移動氬氣和電子. 來自燈絲的自由電子比氬原子輕得多, 因此高速移動. 當一個自由電子撞擊氬原子上的一個電子時, 它可以把它撞散. 碰撞的能量使氬等離子發出紫色的光.

第三步: 現在這個過程是自我維持的, 當電離達到臨界點, 不需要額外的電子亦可穩定維持, 燈絲被關閉.

我們用 KRi 等離子做什么?
氬離子以特定的速度運動. 這些離子從源的開放端流出, 這些具備特定速度的離子束流可以用于在鍍膜工藝之前對材料進行原子級別的清潔(通過轟擊-將原子從表面上去除)或在鍍膜工藝之后使薄膜更致密(足夠用力地撞擊原子以將它們向下推并消除薄膜層中的間隙).
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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上海伯東版權所有, 翻拷必究!
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