

KRI 考夫曼霍爾離子源 EH1020 主要參數:
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Filament Controller |
Discharge controller |
Gas controller |
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17.2A/ 22V |
150V/ 4.85A |
Ar/ 32sccm |

利用 KRI 考夫曼霍爾離子源輔助鍍膜及無離子源輔助鍍膜對鍍膜質量之比較:
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KRI EH1020 輔助鍍膜 |
無 Ion Source 輔助鍍膜 |
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鹽水煮沸脫膜測試 |
優 |
劣 |
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破壞性百格脫膜測試 |
優 |
劣 |
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光學折射設率 |
高 |
低 |
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膜層致密性 |
優 |
劣 |
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膜層光學吸收率 |
無 |
有 |
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制程腔體加熱溫度 |
低 |
高 |
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生產成本 |
低 |
高 |
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
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上海伯東版權所有, 翻拷必究!
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