KRI 考夫曼霍爾離子源 EH1020 主要參數(shù):
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Filament Controller |
Discharge controller |
Gas controller |
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17.2A/ 22V |
150V/ 4.85A |
Ar/ 32sccm |
利用 KRI 考夫曼霍爾離子源輔助鍍膜及無離子源輔助鍍膜對(duì)鍍膜質(zhì)量之比較：
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KRI EH1020 輔助鍍膜 |
無 Ion Source 輔助鍍膜 |
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鹽水煮沸脫膜測試 |
優(yōu) |
劣 |
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破壞性百格脫膜測試 |
優(yōu) |
劣 |
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光學(xué)折射設(shè)率 |
高 |
低 |
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膜層致密性 |
優(yōu) |
劣 |
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膜層光學(xué)吸收率 |
無 |
有 |
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制程腔體加熱溫度 |
低 |
高 |
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生產(chǎn)成本 |
低 |
高 |
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實(shí)現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關(guān)鍵尺寸的結(jié)構(gòu), KRi 離子源具有原子級(jí)控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時(shí)提供各類真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
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上海伯東: 葉小姐 臺(tái)灣伯東: 王小姐
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上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
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