精密薄膜控制
薄膜為若干單層膜
半導體
可重復使用的金屬涂層附著力
蝕刻晶元
刻蝕均勻性和臨界幾何尺寸
MEMS, 傳感器和顯示器
表面優化
精密光學
薄膜致密穩定, 折射率優化, 吸收率低
磁數據存儲
金屬和介質多層堆疊中納米特性的各向異性和均勻腐蝕
IBSM
SAB
Ion Beam Assisted Deposition 離子束輔助沉積
IBAD
Ion Beam Etching 離子蝕刻
- Reactive Ion Beam Etching 反應離子蝕刻
- Chemically Assisted Ion Beam Etching 化學輔助離子蝕刻
IBE
RIBE
CAIBE
Ion Beam Sputter Deposition 磁控濺射輔助沉積
- Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反應離子磁控濺射沉積
- Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏壓離子束磁控濺射
IBSD
RIBSD
BTIBSD
Direct Deposition 直接沉積
- Hard and functional coatings 硬質和功能膜
DD
作為一種新興的材料加工技術, 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助客戶獲得理想的薄膜和材料表面性能. 行業涉及精密光學, 半導體制造, 傳感器, 醫學等多個領域.
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精密薄膜控制 |
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半導體 |
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蝕刻晶元 |
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MEMS, 傳感器和顯示器 |
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精密光學 |
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磁數據存儲 |
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
若您需要進一步的了解 KRi 離子源 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式：
上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 ) M: +886-939-653-958
現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
上海伯東版權所有, 翻拷必究！
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