KRi 離子源常見工藝應用

工藝應用	簡稱
In-situ substrate preclean 預清潔	PC
Ion-beam modification of material and surface properties 材料和表面改性	IBSM
- Surface polishing or smoothing 表面拋光
- Surface nanostructures and texturing 表面納米結構和紋理
- Ion figuring and enhancement 離子計算和增強
- Ion trimming and tuning 離子修整和調諧
- Surface-activated bonding 表面激活鍵合	SAB
Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜	IBAD
Ion-beam etching 離子蝕刻	IBE
- Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻	RIBE
- Chemically assisted ion-beam etching 化學輔助離子束蝕刻	CAIBE
Ion-beam sputter deposition 離子濺射	IBSD
- Reactive ion-beam sputter deposition 反應離子濺射	RIBSD
- Biased target ion-beam sputter deposition 偏壓靶離子束濺射	BTIBSD
Direct deposition 直接沉積	DD
- Hard and functional coatings 硬質和功能性涂料

美國 KRi 離子源

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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