磁控共濺鍍主要用于復合金屬或復合材料, 通過分別優化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來控制薄膜質量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時間.
特殊系統設計的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個磁控濺鍍的制程條件, 為客戶提供更好質量的復合式薄膜.

濺鍍腔中, 有單片和多片式的 loading chamber, 可節省其制程腔體的抽氣時間, 進而節省整體實驗時間.
KRI 離子源應用于磁控共濺鍍設備

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通過使用上海伯東 KRI 離子源可實現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
濺鍍腔中在載臺部分可獨立施打偏壓, 對其基板進行清潔與增加材料的附著性等功能.

上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國KRi考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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