納米和量子技術之一, 廣泛應用于科研和半導體器件的生產, 分子束外延 MBE 技術可以在超高真空 UHV 條件下的單晶上獲得原子尺度生長的材料. 良好的超高真空條件對外延質量至關重要. 上海伯東提供分子束外延 MBE 所需的超高真空系統和薄膜制備離子源.

分子束外延 MBE 中的真空系統
分子束外延在高真空或超高真空 10^-8至10^-12 hPa 中進行. 典型的 MBE 沉積速率為每小時 1000 納米, 這使得薄膜可以外延式生長. 達到這種沉積速率需要更好的真空度, 以達到與其他沉積技術相同的雜質水平. 由于超高真空環境以及沒有載氣, 生長的薄膜可以達到較高純度. 上海伯東提供各種不同的干式前級泵和高壓縮比的分子泵. 真空計, 并提供質譜分析儀來進行殘余氣體分析 RGA.

類型	渦輪分子泵	渦旋泵	多級羅茨泵
參考圖片
抽速	10 至 > 3,000 l/s	6 至 20 m³/h	15 至 88 m³/h
極限真空	< 10^-11 hPa	10^-3hPa	10^-2hPa

分子束外延薄膜制備重要部件-離子源
真空環境下, 使用上海伯東美國 KRi 離子源, 在沉積前通過離子 Ar 轟擊材料表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 可去除物理或化學吸附的污染物, 清潔后在進行薄膜制備, 膜層厚度均勻性及附著牢固度都明顯提高.

去除物理吸附污染: 去除晶片表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å

KRI 離子源

超高真空 (簡稱 UHV) 是科學技術基礎研究的實驗中必不可少的一環. 超高真空 UHV 的基本要求是需要高純度, 最少的顆粒相互作用, 而且不能有其他污染物. 真空壓力需要 < 10^-5 Pa. 上海伯東提供超高真空互聯整體性解決方案, 根據客戶需求, 配置適合的分子泵, 渦旋泵, 旋片泵, 真空計和氦質譜檢漏儀.

上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.

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