硬 X射線光電子能譜儀 HAXPES
硬X射線光電子能譜 HAXPES 是一種先進的表面分析技術, 主要用于研究固體樣品的表面電子結構和化學態. HAXPES 利用高能 X射線（例如 Cr Kα 射線 , 能量為 5414.7 eV）激發樣品表面的電子. 通過測量這些電子的能量分布, 能夠獲得關于樣品表面的化學成分和電子結構的詳細信息. 與傳統的 XPS（軟X射線光電子能譜）相比, HAXPES 具有更深的探測深度, 通常可達約 30 nm, 適用于多層薄膜, 半導體光電器件等樣品的無損深度分析.

飛行時間二次離子質譜儀 TOF-SIMS
TOF-SIMS (Time of Flight Secondary lon Mass Spectrometry) 是利用脈沖離子束轟擊樣品表面產生二次離子, 經飛行時間分析器分析二次離子到達探測器的時間, 從而獲得樣品表面成份信息的分析技術. 其表面靈感度高,提供表面幾個原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息, 運用于所有元素和同位素, 包括氫元素.

俄歇電子能譜儀 Auger
AES  (Auger Electron Spectroscopy) 是利用電子束電離激發原子內層電子, 探測退激發過程出射的俄歇電子, 獲得樣品表面的組成及化學性質的分析方法. AES 不僅表面靈敏, 而且具有納米級的空間分辨率, 因此廣泛應用于半導體器件, 微電子器件和材料科學等研究.

動態二次離子質譜儀 D-SIMS
ADEPT-1010 專為淺層半導體注入和絕緣薄膜的自動分析而設計, 是大多數半導體開發和支持實驗室的常用工具. 通過優化的二次離子收集光學系統和超高真空設計, 提供了薄膜結構檢測中的摻雜組分和常見雜質所需的靈敏度

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