OLED 設備基本技術要求如下:
1. 腔體體積: 約 150 L 左右
2. 極限真空度: 1 x 10-7 mbar
3. 30 分鐘 – 1 小時內達到 5 x 10-5 mbar
4. Gas: Ar, O2
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真空系統配置
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渦輪分子泵 HiPace 700
進氣口: DN 160 CF-F
氮氣抽速: 685 l/s
氮氣壓縮比: > 1X1011
極限真空: 5X10-10 mbar
半導體 Semi S2 及 IP 54 防護等級
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雙級旋片泵 DUO 35
進氣口: DN 40 ISO-KF
氮氣抽速: 32 m3/h
極限真空: 3 X 10-3
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全量程真空計 PKR 251
進氣口:KF 25
測量范圍: 5E-9至 1000
精度: ±30%
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HVA 氣動插板閥
進氣口: DN 160 CF-F
極限真空: 1x10-10 mbar
供電: 24V DC
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此類 OLED 鍍膜機, 用加熱使材料蒸發的方法, 在襯底上沉積各種化合物, 混合物單層或多層膜. 主要用于有機半導體材料的物理化學性能研究實驗, 上海伯東 Pfeiffer HiPace 系列分子泵搭配 DuoLine 雙級旋片泵是其理想的選擇!
上海伯東銷售維修 Pfeiffer 普發渦輪分子泵 HiPace 系列憑借緊湊結構和卓越性能, 適用于高真空和超高真空應用.HiPace 渦輪分子泵采用混合或磁懸浮軸承系統, 確保低噪音和低振動運行. 此外, 渦輪分子泵 HiPace 還提供特殊型號, 包括針對氫氣等輕質氣體壓縮的版本, 以及配備耐腐蝕涂層的型號. 這些豐富的專用版本選擇, 使 Pfeiffer 普發渦輪分子泵 HiPace 為涂層, 半導體制造和分析應用提供更優的解決方案.
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Pfeiffer 普發渦輪分子泵 HiPace 700 應用于 OLED 鍍膜機
