KRi 射頻離子源 RFICP 140 優勢
等離子放電腔: 通過射頻 RFICP 技術產生高密度等離子束, 1kW & 1.8 MHz, 射頻自動匹配; 無燈絲, 使用壽命更長
離子源結構: 模塊化組件易于維修; 內部基座安裝, 優化工藝速率和均勻性
離子束: 自對準技術, 可選聚焦, 準直, 散射;
柵網: 標準二層, 可選三層柵網.(覆蓋面積更大, 精密控制離子束流的能量, 方向, 保障輸出束流質量的同時最小化能量損耗. 對污染的工藝環境, 具備一定的防護作用.)
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陽極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽極功率 |
1kW |
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最大離子束流 |
> 500mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
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離子束動能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-40sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學, 自對準 |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
14cm Φ |
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柵極材質 |
鉬, 石墨 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 or RFN |
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高度 |
25.1 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
KRi 射頻離子源 RFICP 140 基本性能
14cm 三層鉬柵網,聚焦型, 工藝氣體 Ar, 距離約 30 cm
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環境下, 通過使用美國 KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到亞納米范圍的關鍵尺寸的結構, KRi 離子源具有原子級控制的材料和表面特征.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
上海伯東同時提供各類真空系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
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