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PVD 脫氣工藝
物理氣相沉積 PVD 是基于真空環境的薄膜制備工藝, 在先進半導體制造中起到關鍵作用, 在 DRAM 及其他微電子器件生產中, PVD 工藝用于沉積超高純度金屬薄膜. 金屬鍍層對附著力, 薄膜純度, 晶圓表面質量要求嚴苛, 因此金屬鍍膜前必須對晶圓表面做充分預處理.
脫氣腔的核心作用: 在金屬沉積前, 即刻去除晶圓表面原生氧化層, 有機污染物及表面吸附雜質.

主流處理方式分為兩種：
1. 原位離子濺射(通入氬等離子體), 物理剝離表面氧化層
2. 氫氣等工藝等離子體化學還原處理

傳統電離真空計在 PVD 脫氣腔中的應用痛點
1. 電離真空計漂移, 測量精度差
- 抽真空周期壓力讀數不準, 設備產能受限
- 無法精準檢測腔體泄漏, 材料放氣情況

2. 通入氫氣工藝氣體時, 電離真空計無法監測工藝壓力
電離真空計工作時存在能量釋放, 有氫氣燃爆風險, 導致工藝全程無壓力監測, 生產處于“盲操作”狀態; 同時無法監控質量流量控制器 MFC 工作狀態.

上海伯東磁懸浮轉子真空計 DosiTorr 在 PVD 脫氣工藝中的應用優勢
1. 不干擾真空環境, 可精準測量氫氣工藝氣體壓力
2. 優化脫氣工藝, 提升芯片良率
3. 獲取關鍵工藝數據: 質量流量控制器性能, 腔體泄漏, 材料放氣狀況
4. 拓寬穩定工藝窗口
5. 優化抽真空流程, 提升設備產能
6. 適配工藝壓力區間: 10?? ~ 10?² mbar
7. 單次脫氣工藝時長1–3分鐘, 磁懸浮轉子真空計僅 1秒響應速度, 完全適配生產節奏
8. 測量精度優異穩定: 讀數誤差±1%, 年漂移量＜1.5%
9. 完整覆蓋 10 至 10?? mbar 測量范圍
10. 超高潔凈設計: 所有接觸氣體部件均為全金屬材質
11. 使用壽命匹配半導體設備整機設計周期
12. 即插即用一體化方案, 磁懸浮轉子真空計配套組態功能
磁懸浮轉子真空計 PVD 脫氣工藝應用說明

上圖 : 通入氫氣工藝氣體時, 磁懸浮轉子真空計 DosiTorr 對多組脫氣工藝周期的壓力監測曲線
曲線特征：10?²~10?? mbar 壓力讀數穩定精準, 抽真空周期數據可穩定, 重復采集.

從1976年第一代旋轉轉子真空計原型機的問世至今, 磁懸浮旋轉轉子技術歷經半個世紀的發展迭代, 上海伯東德國 ph-instruments 中國總代理, 專注于為客戶提供定制化解決方案, 并持續提供專業技術支持. 德國 ph-instruments SRG 磁懸浮轉子真空計不僅僅定位為傳統真空計的替代品, 而是作為確保先進制造制程中計量完整性的基礎技術. 透過提供高度準確和穩定的真空測量,SRG 旋轉轉子真空計能夠實現更嚴格的制程控制, 減少變異性, 應用并提高半導體制造, 鍍膜, 顯示面板, 光伏等高精密應用中的良率和產品質量.

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