上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 參數:
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型號 |
羅茨泵組 |
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圖片 |
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進氣口 |
DN 250 ISO-F |
DN 250 ISO-F |
DN 160 ISO-F |
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氮氣抽速 |
1900 l/s |
2350 l/s |
2348 m³/h |
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極限真空 |
1X10-7 mbar |
< 1X10-8 mbar |
1X10-2 mbar |
濺射或蒸發工藝要求
滿足多層膜的制備
維護間隔長
膜層致密, 不易脫落
通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可實現基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速度, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密, 膜基附著力更好, 膜層不易脫落. 其中 RF 射頻離子源提供高能量, 低濃度的離子束, 離子源單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜工藝. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 參數:
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型號 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
22 cm Φ |
38 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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薄膜沉積應用于眾多零部件產品的生產, 例如眼鏡, 手機, 屏幕顯示器等. 一般通過物理氣相沉積 PVD 或化學氣相沉積 CVD 實現. 薄膜直接施加到零部件表面上, 總厚度小于 10 µm. 薄膜沉積需要在真空環境下進行. 上海伯東提供德國 Pfeiffer 真空產品和美國 KRi 考夫曼離子源助力薄膜沉積工藝發展.
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