1. 溫度循環測試: 溫度循環測試通常按照 JESD22-A104 標準執行,設置測試范圍 -40 到+125℃, 持續數千小時, 以評估其在溫度變化下的穩定性和可靠性.
2. 溫度沖擊測試: 對 MOSFET 器件進行快速低溫到高溫環境, 反之亦然, 以評估其對溫度突變的反應

在芯片測試中, 可為測試計劃確定相應的要求, 如溫度循環實驗, 不同等級的溫變范圍及溫差循環數等. InTest 熱流儀可根據預先設定的溫度范圍, 實現快速的溫度沖擊, 如溫度范圍 -40℃~125℃, 可分別設置低溫 -40℃, 常溫 25℃ 及高溫 125℃, 熱流儀將按照先后順序自動進行相應測試. 針對不同的測試應用, InTest 可通過每秒快速升溫或降溫 18°C, 為 MOSFET 器件提供精確且快速的環境溫度.
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美國 InTest ThermoStream 系列高低溫沖擊熱流儀, 溫度沖擊范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設計, 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃, 通過 NIST 校準. 通過 ISO 9001, CE, RoHS 認證. InTest熱流儀提供適用于 RF 射頻, 微波, 電子, 功率器件, 通信芯片等溫度測試, 滿足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯東是美國 InTest 熱流儀中國總代理. 推薦熱流儀應用案例 >>
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