存儲器芯片高低溫沖擊客戶案例: 某半導體公司正在合作進行 14納米先進制程工藝技術的開發, 專注于開發和制造 12寸存儲器 MRAM 技術, 目前正在建置完整的12寸芯片產能. 進過上海伯東推薦, 選用美國 InTest ATS-545-M 熱流儀對封裝后的器件在 -40 °C 至 125°C 進行快速高低溫沖擊測試.

inTEST ATS-545-M 熱流儀主要技術參數

inTEST ATS-545-M 熱流儀

ATS-545-M
溫度范圍 °C: -75 至 + 225(50 HZ)
變溫速率: -55至 +125°C, 約 10 S 或更少
               +125至 -55°C, 約 10 S 或更少
輸出氣流量: 4 至 18 scfm
溫度精度: ±1℃ 通過美國NIST 校準
溫度顯示分辨率: ±0.1℃
溫度傳感器: T或K型熱電偶
防靜電設計, 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻


與傳統高低溫測試箱對比, InTest 熱流儀主要優勢:
1. 變溫速率更快
2. 溫控精度:±1℃
3. 實時監測待測元件真實溫度, 可隨時調整沖擊氣流溫度
4. 針對 PCB 電路板上眾多元器件中的某一單個IC(模塊), 可單獨進行高低溫沖擊, 而不影響周邊其它器件
5. 對測試機平臺 load board上的 IC進行溫度循環 / 沖擊; 傳統高低溫箱無法針對此類測試
6. 對整塊集成電路板提供準確且快速的環境溫度

作為美國 InTest 中國總代理, 上海伯東將做好服務保障, 助力國內企業加快前沿科技進程.

美國 InTest ThermoStream 系列高低溫沖擊熱流儀, 溫度沖擊范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設計, 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃, 通過 NIST 校準. 通過 ISO 9001, CE, RoHS 認證. InTest熱流儀提供適用于 RF 射頻, 微波, 電子, 功率器件, 通信芯片等溫度測試, 滿足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯東是美國 InTest 流儀中國總代理.推薦熱流儀應用案例 >>

若您需要進一步的了解 InTest 流儀詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                                   臺灣伯東: 王小姐
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InTest ATS-545 熱流儀用于12寸存儲器芯片 MRAM 研發測試

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更新 : 2026-01-22

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