inTEST 熱流儀存儲芯片 Flash / DRAM 高低溫沖擊測試

上海伯東存儲器芯片高低溫沖擊測試案例
客戶: 某知名存儲芯片設計公司, 主要產品 Flash 及 DRAM 存儲器
測試設備: inTEST ATS-710-M 搭配愛德萬 Advantest 內存 IC 測試系統
測試目的: 研發中存儲芯片的運作特性, 同時可用于失效芯片在不同溫度下的快速故障診斷.
存儲器芯片高低溫測試方法: inTEST 熱流儀溫度區間設置為 125℃ 至 -55℃, 快速實現極端溫度下閃存的運作特性, 如電壓, 電流等. 閃存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式來進行高低溫循環測式, 將閃存與 inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互連接, 如此即可精確掌控受測物達到機臺所設定之溫度. 閃存高低溫測試方法同樣適合內嵌式記憶體 eMMC 溫度測試.
inTEST 熱流儀存儲芯片 Flash / DRAM 高低溫沖擊測試

InTest Temtronic ATS-710 熱流儀技術參數

型號

溫度范圍 °C

輸出氣流量

變溫速率

溫度
精度

溫度顯示
分辨率

溫度
傳感器

遠程
控制

ATS-710E

-75至+225 50Hz
-80至+225 60Hz

4 至18 scfm
1.8至 8.5l/s

-55至 +125°C 約 10 s
+125至 -55°C 約 10 s

±1℃

±0.1℃

T型或
K型
熱電偶

IEEE 488
RS232

 


美國 InTest ThermoStream 系列高低溫沖擊熱流儀, 溫度沖擊范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設計, 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃, 通過 NIST 校準. 通過 ISO 9001, CE, RoHS 認證. InTest熱流儀提供適用于 RF 射頻, 微波, 電子, 功率器件, 通信芯片等溫度測試, 滿足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯東是美國 InTest 熱流儀中國總代理.推薦熱流儀應用案例 >>

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上海伯東: 葉小姐                                                臺灣伯東: 王小姐
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更新 : 2026-01-26

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