inTEST 熱流儀存儲(chǔ)芯片 Flash / DRAM 高低溫沖擊測(cè)試

上海伯東存儲(chǔ)器芯片高低溫沖擊測(cè)試案例
客戶: 某知名存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司, 主要產(chǎn)品 Flash 及 DRAM 存儲(chǔ)器
測(cè)試設(shè)備: inTEST ATS-710-M 搭配愛(ài)德萬(wàn) Advantest 內(nèi)存 IC 測(cè)試系統(tǒng)
測(cè)試目的: 研發(fā)中存儲(chǔ)芯片的運(yùn)作特性, 同時(shí)可用于失效芯片在不同溫度下的快速故障診斷.
存儲(chǔ)器芯片高低溫測(cè)試方法: inTEST 熱流儀溫度區(qū)間設(shè)置為 125℃ 至 -55℃, 快速實(shí)現(xiàn)極端溫度下閃存的運(yùn)作特性, 如電壓, 電流等. 閃存多采用 inTEST  DUT mode 即 Device under test 模式來(lái)進(jìn)行高低溫循環(huán)測(cè)式, 將閃存與 inTEST ATS-710-M 使用 T type Thermocouple 相互連接, 如此即可精確掌控受測(cè)物達(dá)到機(jī)臺(tái)所設(shè)定之溫度. 閃存高低溫測(cè)試方法同樣適合內(nèi)嵌式記憶體 eMMC 溫度測(cè)試.
inTEST 熱流儀存儲(chǔ)芯片 Flash / DRAM 高低溫沖擊測(cè)試

InTest Temtronic ATS-710 熱流儀技術(shù)參數(shù)

型號(hào)

溫度范圍 °C

輸出氣流量

變溫速率

溫度
精度

溫度顯示
分辨率

溫度
傳感器

遠(yuǎn)程
控制

ATS-710E

-75至+225 50Hz
-80至+225 60Hz

4 至18 scfm
1.8至 8.5l/s

-55至 +125°C 約 10 s
+125至 -55°C 約 10 s

±1℃

±0.1℃

T型或
K型
熱電偶

IEEE 488
RS232

 


美國(guó) InTest ThermoStream 系列高低溫沖擊熱流儀, 溫度沖擊范圍 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防靜電設(shè)計(jì), 不需要 LN2 或 LCO2 冷卻, 溫度顯示精度: ±1℃, 通過(guò) NIST 校準(zhǔn). 通過(guò) ISO 9001, CE, RoHS 認(rèn)證. InTest熱流儀提供適用于 RF 射頻, 微波, 電子, 功率器件, 通信芯片等溫度測(cè)試, 滿足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯東是美國(guó) InTest 熱流儀中國(guó)總代理.推薦熱流儀應(yīng)用案例 >>

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更新 : 2026-01-26

閱讀數(shù) : 224