電子束蒸鍍是利用加速電子轟擊鍍膜材料, 電子的動能轉換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發并成膜. 電子束加熱蒸鍍的特點是能獲得極高的能量密度, 最高可達 109w/cm2, 加熱溫度可達 3000～6000℃, 可以蒸發難熔金屬或化合物; 被蒸發材料置于水冷的坩堝中, 可避免坩堝材料的污染, 制備高純薄膜; 另外, 由于蒸發物加熱面積小, 因而熱輻射損失減少, 熱效率高

電子束蒸發鍍膜需要高真空環境！
電子束蒸發法是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料, 使蒸發材料氣化并向基板輸運, 在基底上凝結形成薄膜的方法. 常見于半導體科研工業領域. 利用加速后的電子能量打擊材料標靶, 使材料標靶蒸發升騰. 最終沉積到目標上.
在蒸發鍍膜設備中, 真空鍍膜室的本底真空度要求較高, 一般真空度越高, 腔室內雜質氣體的量越少, 鍍膜材料在沉積到基片上的過程中, 與環境中的雜質氣體碰撞變少, 粒子的能量大, 可以在基片上形成更致密均勻的膜, 由于分子泵的無油和高真空特性, 逐漸取代了有油的擴散泵成為最普遍的真空系統, 上海伯東德國普發 Pfeiffer 分子泵成功應用于此.

上海伯東電子束蒸發鍍膜客戶案例一: 某大學微電子學系, 電子束蒸發鍍膜系統配置德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300, 用于生長半導體材料, 金屬膜, Mn 氧化物膜. 系統主要參數如下
1. 真空度要求: 5x10-7 mbar
2. 基片尺寸: ≤Ф12英寸
3. 電子槍功率: 5-10KW
4. 襯底溫度：350℃
7. 溫度均勻性：±10℃
7.樣平臺轉速：≤20r/min
8. 坩堝數量：4
9. 鍍膜均勻性：±5%（Al）
10. 控制系統：PC+PLC全自動控制

電子束蒸發真空系統配置

	渦輪分子泵 HiPace 2300 接口: DN 250 CF-F 極限真空: < 5X10-10 mbar 氮氣壓縮比: > 1X1011 抽速: 1900 l/s
	全量程真空計 PKR 251 測量范圍: 5E-9至 1000 如下三種接口可選 DN25 ISO-KF DN40 ISO-KF DN40 CF-F