封裝激光芯片需要檢漏: 激光芯片在 Box 內進行封裝, 封裝完成后的激光芯片漏率要求小于 5×10-8mbar.l/s, 如果密封性不夠會影響其使用性能和精度, 因此需要進行泄漏檢測.
氦質譜檢漏儀封裝激光芯片檢漏

封裝激光芯片檢漏方法
激光芯片在 Box 內封裝后, 需要對其本身的密封性進行泄漏測試. 由于封裝激光芯片器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 上海伯東推薦使用氦質譜檢漏儀“背壓法”檢漏, 具體做法如下:
1. 將被檢封裝激光芯片放入真空保壓罐, 壓力和時間根據漏率大小設定
氦質譜檢漏儀封裝激光芯片檢漏

2. 取出封裝激光芯片, 使用空氣或氮氣吹掃表面氦氣
3. 將封裝激光芯片放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜檢漏儀進氣口
氦質譜檢漏儀封裝激光芯片檢漏
4. 啟動氦質譜檢漏儀, 真空模式下, 漏率值設定為 5×10-8mbar.l/s 進行檢漏.

結合了 Pfeiffer 與 Adixen 兩家氦質譜檢漏儀的技術優勢, 上海伯東普發 Pfeiffer 提供氦質譜檢漏儀完整的產品線, 從便攜式氦質譜檢漏儀到檢漏模塊, 提供負壓檢漏 (真空法) 和正壓檢漏(吸槍法), 滿足各種應用. 氦質譜檢漏儀與傳統泡沫檢漏和壓差檢漏對比, 在提供無損檢漏的同時可以檢測出更小的漏率 5E-13 Pa m3/s, 利用氦氣作為示蹤氣體定位, 定量漏點. 氦質譜檢漏儀滿足單機檢漏, 也可集成在檢漏系統或 PLC. 上海伯東氦質譜檢漏儀應用案例 >>

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上海伯東 Pfeiffer 普發干式氦質譜檢漏儀 ASM 340 D 封裝激光芯片檢漏

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更新 : 2026-01-30

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