ULVAC-PHI X 射線光電子能譜儀特點:
全自動化, 簡單易操作
快速精準深度剖析
Cr 靶硬 X射線?損深度分析
全自動多樣品傳送停放
?性能?面積和微區 XPS 分析
多功能選裝配件

X 射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 500 性能指標
Al Kα單?化 X射線源, X射線源可聚焦及掃描, 可應對靜態和掃描兩種分析模式:
X 射線聚焦束斑直徑: 5.0 μm 至 400 μm連續可調, 步長小于0.5 μm
分析面積：?5.0μm 至 1400 μm×1400μm
能量分辨率（正常?作條件下）: 對Ag3d5/2峰, 半峰寬（FWHM）≤0.48eV
陽極靶靶點≥19點, 自動更換陽極靶位置

X射線束斑尺寸	X射線功率	靈敏度@ 0.6eV FWHM	靈敏度@ 1.0eV FWHM
??積 XPS	≤100 W	2.0 Mcps	6.0 Mcps
微區分析（≤10 μm）	≤1.3 W	50 Kcps	100 Kcps
微區分析（≤20 μm）	≤5.0 W	200 Kcps	400 Kcps

X 射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 500 應用
適用于電池, 半導體,光伏, 新能源, 有機器件, 納米顆粒, 催化劑, 金屬材料, 聚合物, 陶瓷等固體材料及器件領域.
ULVAC-PHI X 射線光電子能譜儀性能優勢

上海伯東代理 ULVAC-PHI 超高真空表面分析儀器, 包含光電子能譜儀 ( XPS ) ,俄歇電子能譜儀 (AES), 飛行時間二次離子質譜儀, 應用領域涵蓋納米技術, 太陽能技術, 微電子技術, 存儲介質, 催化, 生物材料, 藥品以及金屬, 礦物, 聚合物, 復合材料和涂料等基礎材料, 滿足科學研究, 失效分析, 產品質量檢測等需要.