ULVAC-PHI X 射線光電子能譜儀特點(diǎn):
全自動(dòng)化, 簡單易操作
快速精準(zhǔn)深度剖析
Cr 靶硬 X射線?損深度分析
全自動(dòng)多樣品傳送停放
?性能?面積和微區(qū) XPS 分析
多功能選裝配件
X 射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 500 性能指標(biāo)
Al Kα單?化 X射線源, X射線源可聚焦及掃描, 可應(yīng)對(duì)靜態(tài)和掃描兩種分析模式:
X 射線聚焦束斑直徑: 5.0 μm 至 400 μm連續(xù)可調(diào), 步長小于0.5 μm
分析面積：?5.0μm 至 1400 μm×1400μm
能量分辨率（正常?作條件下）: 對(duì)Ag3d5/2峰, 半峰寬（FWHM）≤0.48eV
陽極靶靶點(diǎn)≥19點(diǎn), 自動(dòng)更換陽極靶位置
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X射線束斑尺寸
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X射線功率
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靈敏度@ 0.6eV FWHM
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靈敏度@ 1.0eV FWHM
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??積 XPS
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≤100 W
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2.0 Mcps
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6.0 Mcps
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微區(qū)分析（≤10 μm）
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≤1.3 W
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50 Kcps
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100 Kcps
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微區(qū)分析（≤20 μm）
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≤5.0 W
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200 Kcps
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400 Kcps
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X 射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 500 應(yīng)用
適用于電池, 半導(dǎo)體,光伏, 新能源, 有機(jī)器件, 納米顆粒, 催化劑, 金屬材料, 聚合物, 陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域.
上海伯東代理 ULVAC-PHI 超高真空表面分析儀器, 包含光電子能譜儀 ( XPS ) ,俄歇電子能譜儀 (AES), 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀, 應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋納米技術(shù), 太陽能技術(shù), 微電子技術(shù), 存儲(chǔ)介質(zhì), 催化, 生物材料, 藥品以及金屬, 礦物, 聚合物, 復(fù)合材料和涂料等基礎(chǔ)材料, 滿足科學(xué)研究, 失效分析, 產(chǎn)品質(zhì)量檢測等需要.
ULVAC-PHI X 射線光電子能譜儀性能優(yōu)勢
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