半導體特殊器件檢漏方法 由于器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 而氦檢漏又離不開氦氣作為示蹤氣體, 所以上海伯東推薦采用”背壓法”檢漏, 具體做法如下: 1. 將被檢器件放入真空保壓罐, 壓力和時間根據漏率大小設定 2. 取出器件, 使用空氣或氮氣吹掃表面氦氣 3. 將器件放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜檢漏儀 4. 啟動氦質譜檢漏儀, 開始檢測 ”背壓法”圖示
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更新 : 2026-02-04
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